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2018/08/10
咨询成果
发布成果基本信息
- 成果类型 高等院校
- 委托机构 西安电子科技大学
- 成果持有方 西安电子科技大学
- 行业领域 电子元器件
- 项目名称 垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法
- 知识产权 发明专利
- 项目简介 本发明公开了一种垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法，该器件从下往上依次包括硅衬底、弛豫SiGe缓冲层、弛豫Si0.7Ge0.3虚衬底、n+δ掺杂层、弛豫Si0.7Ge0.3间隔层、应变Si沟道、弛豫Si0.7Ge0.3中间层、应变Si0.5Ge0.5沟道、弛豫Si0.7Ge0.3帽层和应变Si帽层。本发明采用张应变Si材料作n‑MOSFET沟道，压应变SiGe材料作p‑MOSFET沟道，n‑MOSFET与p‑MOSFET采用垂直层叠结构，二者共用一个多晶SiGe栅电极，电子和空穴的迁移率均有较大提高，提高了芯片的集成度、速度，为Si基器件和集成电路的高速、高频化发展开辟新的技术途径。
交易信息
- 意向交易额 面议
- 挂牌时间 2018/03/16
- 委托机构 西安电子科技大学
- 联系人姓名 王小刚
- 联系人电话 15802954800
- 联系人邮箱 745490733@qq.com
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